01
Подложки SiC/Si,
выращенные методом
замещения атомов на подложках
до 6 дюймов
02
Слои и гетероструктуры
полупроводников III-N
(AlN, GaN, AlGaN)
на подложках SiC/Si
03
Слои и тонкие
плёнки ZnO, CdSe,
CdTe на подложках SiC/SI
04
Объемные слои
III-нитридов на подложках
SiC/Si
05
Нитевидные
кристаллы/нановискеры
GaN, GaAs на подложках
SiC/Si
